MURTA20060R - DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-MURTA20060R
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
7144 Pieces
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Spécifications pour MURTA20060R
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MURTA20060R
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration de la diode : 1 Pair Common Anode
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 100A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 100A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 25µA @ 600V
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Three Tower
Package d'appareils du fournisseur : Three Tower
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MURTA20060R
Feuilles de données : MURTA20060R.pdf
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