IS43R86400E-6BLI - IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
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Brève description
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IS43R86400E-6BLI
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IS43R86400E-6BLI
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR
Taille mémoire : 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 700ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-TFBGA (13x8)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IS43R86400E-6BLI
Feuilles de données : IS43R86400E-6BLI.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| AVX Corporation | CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. | ||
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