DMN65D8LQ-13 - MOSFET N-CH 60V SOT23

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Numéro de pièce interne
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MOSFET N-CH 60V SOT23
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN65D8LQ-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN65D8LQ-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 60V SOT23
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 310mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 370mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN6 , DMN65D

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Feuilles de données : DMN65D8LQ-13.pdf

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