IPL65R230C7AUMA1 - MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON

Référence fabricant

IPL65R230C7AUMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPL65R230C7AUMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPL65R230C7AUMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPL65R230C7AUMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON

Séries : CoolMOS™ C7

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 240µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 996pF @ 400V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 67W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-VSON-4

Paquet / caisse : 4-PowerTSFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPL65 , IPL65R23

Documents pour IPL65R230C7AUMA1

Feuilles de données : IPL65R230C7AUMA1.pdf

Produits associés pour IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies

Numéro d'article	Marque	La description
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