PMGD8000LN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
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MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMGD8000LN,115
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMGD8000LN,115
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 125mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.35nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 18.5pF @ 5V
Puissance - Max : 200mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PMGD8000LN,115
Feuilles de données : PMGD8000LN,115.pdf
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