R6030ENZ1C9 - MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-R6030ENZ1C9
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour R6030ENZ1C9
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : R6030ENZ1C9
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 120W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour R6030ENZ1C9
Feuilles de données : R6030ENZ1C9.pdf
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