SI7703EDN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
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MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
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Spécifications pour SI7703EDN-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI7703EDN-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 800µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) : 1.3W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8
Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI7703EDN-T1-GE3
Feuilles de données : SI7703EDN-T1-GE3.pdf
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