IXFT18N100Q3 - MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFT18N100Q3
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXFT18N100Q3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXFT18N100Q3
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4890pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 830W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-268
Paquet / caisse : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IXFT18N100Q3
Feuilles de données : IXFT18N100Q3.pdf
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