AS4C64M16MD1-5BIN - IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C64M16MD1-5BIN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C64M16MD1-5BIN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire : 1Gb (64M x 16)
Fréquence d'horloge : 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 5ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-FBGA (8x10)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C64M16MD1-5BIN
Feuilles de données : AS4C64M16MD1-5BIN.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 25KV R85. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 25KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 10KV SCREW. | ||
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| KEMET | CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. | ||
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