FDME430NT - MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6

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MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
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Spécifications pour FDME430NT

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDME430NT
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : MicroFet 1.6x1.6 Thin
Paquet / caisse : 6-PowerUFDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDM , FDME

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