SSM3J35MFV,L3F - MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

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MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM3J35MFV,L3F

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM3J35MFV,L3F
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 12.2pF @ 3V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : VESM
Paquet / caisse : SOT-723
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM3 , SSM3J35

Documents pour SSM3J35MFV,L3F

Feuilles de données : SSM3J35MFV,L3F.pdf

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