IPT60R080G7XTMA1 - MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Référence fabricant
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Brève description
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPT60R080G7XTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPT60R080G7XTMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
Séries : CoolMOS™ G7
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 490µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1640pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 167W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-HSOF-8-2
Paquet / caisse : 8-PowerSFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPT60 , IPT60R08

Documents pour IPT60R080G7XTMA1

Feuilles de données : IPT60R080G7XTMA1.pdf

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