K4A4G165WE-BITD - 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
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4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
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Spécifications pour K4A4G165WE-BITD
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
K4A4G165WE-BITD
Fabricant :
Samsung Semiconductor
La description :
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Séries :
DDR4
Densité :
4 Gb
Org. :
256M x 16
La vitesse :
2666 Mbps
Tension :
1.2 V
Temp. :
-40 ~ 95 °C
Paquet :
96FBGA
État du produit :
Mass Production
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour K4A4G165WE-BITD
Feuilles de données :
K4A4G165WE-BITD.pdf
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