PHT6N06T,135 - MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PHT6N06T,135
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PHT6N06T,135
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PHT6N06T,135
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 175pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 8.3W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-223
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PHT6N06T,135
Feuilles de données : PHT6N06T,135.pdf
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