BSZ215CHXTMA1 - MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

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Numéro de pièce interne
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MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSZ215CHXTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSZ215CHXTMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Séries : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel Complementary
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 110µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 419pF @ 10V
Puissance - Max : 2.5W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur : PG-TSDSON-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSZ2 , BSZ215

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Feuilles de données : BSZ215CHXTMA1.pdf

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