TK17N65W,S1F - MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TK17N65W,S1F
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK17N65W,S1F
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK17N65W,S1F
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Séries : DTMOSIV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 17.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 900µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 300V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 165W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TK17N65W,S1F
Feuilles de données : TK17N65W,S1F.pdf
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