IS42SM32160E-75BLI - IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
56286 Pieces
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Spécifications pour IS42SM32160E-75BLI
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IS42SM32160E-75BLI
Fabricant :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description :
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - Mobile
Taille mémoire :
512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge :
133MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
6ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
90-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
90-TFBGA (8x13)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IS42SM32160E-75BLI
Feuilles de données :
IS42SM32160E-75BLI.pdf
Produits associés pour IS42SM32160E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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AVX Corporation |
CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R |
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CAP CER 8000PF 15KV R230 DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 3000PF 10KV. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4000PF 32KV R85. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. |
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Vishay Beyschlag |
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AVX Corporation |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 10000PF 10KV SCREW. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 1000PF 100V 10 BX 0805. |
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