WPB4002-1E - MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-WPB4002-1E
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour WPB4002-1E
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : WPB4002-1E
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 220W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-3P-3L
Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour WPB4002-1E
Feuilles de données : WPB4002-1E.pdf
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