HAT2287WP-EL-E - MOSFET N-CH WPAK

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
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MOSFET N-CH WPAK
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HAT2287WP-EL-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : HAT2287WP-EL-E
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH WPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 17A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 94 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 30W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-WPAK
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : HAT2 , HAT2287

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Feuilles de données : HAT2287WP-EL-E.pdf

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