TPN4R203NC,L1Q - MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

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MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
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Spécifications pour TPN4R203NC,L1Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TPN4R203NC,L1Q
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Séries : U-MOSVIII
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1370pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta), 22W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TPN4 , TPN4R20

Documents pour TPN4R203NC,L1Q

Feuilles de données : TPN4R203NC,L1Q.pdf

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