RGL41MHE3_A/I - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
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Brève description
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RGL41MHE3_A/I
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RGL41MHE3_A/I
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Séries : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1000V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 500ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-213AB, MELF (Glass)
Package d'appareils du fournisseur : DO-213AB
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RGL41MHE3_A/I
Feuilles de données : RGL41MHE3_A/I.pdf
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