SI3905DV-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI3905DV-T1-E3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI3905DV-T1-E3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
450mV @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Puissance - Max :
1.15W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur :
6-TSOP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI3905DV-T1-E3
Feuilles de données :
SI3905DV-T1-E3.pdf
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CAP CER 1000PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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CAP CER 50PF 30KV AXIAL. |
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CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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