DMN3018SFGQ-7 - MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI
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MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN3018SFGQ-7
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DMN3018SFGQ-7
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
8.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
13.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
697pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PowerDI3333-8
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour DMN3018SFGQ-7
Feuilles de données :
DMN3018SFGQ-7.pdf
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KEMET |
CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10. |
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CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD. |
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CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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