IRF6668TRPBF - MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF6668TRPBF
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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632485 Pieces
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Spécifications pour IRF6668TRPBF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRF6668TRPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
55A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1320pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DIRECTFET™ MZ
Paquet / caisse :
DirectFET™ Isometric MZ
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRF6668TRPBF
Feuilles de données :
IRF6668TRPBF.pdf
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