STW58N60DM2AG - MOSFET N-CH 600V 50A
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MOSFET N-CH 600V 50A
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour STW58N60DM2AG
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STW58N60DM2AG
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 600V 50A
Séries : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 360W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour STW58N60DM2AG
Feuilles de données : STW58N60DM2AG.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 1500PF 14KV SCREW. | ||
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