CSD19535KTT - MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Référence fabricant

CSD19535KTT

Numéro de pièce interne

AX-CSD19535KTT

Fabricant

Texas Instruments

Brève description

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour CSD19535KTT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CSD19535KTT

Fabricant : Texas Instruments

La description : MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Séries : NexFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7930pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DDPAK/TO-263-3

Paquet / caisse : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CSD , CSD19

Documents pour CSD19535KTT

Feuilles de données : CSD19535KTT.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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