RUM003N02T2L - MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3

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MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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Spécifications pour RUM003N02T2L

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RUM003N02T2L
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 300mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : VMT3
Paquet / caisse : SOT-723
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RUM0 , RUM003

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Feuilles de données : RUM003N02T2L.pdf

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