BSO615NGHUMA1 - MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

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MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
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Spécifications pour BSO615NGHUMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSO615NGHUMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : PG-DSO-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSO6 , BSO615

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