JAN1N3766 - DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour JAN1N3766

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : JAN1N3766
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Séries : Military, MIL-PRF-19500/297
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 800V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 35A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.4V @ 110A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 800V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Chassis, Stud Mount
Paquet / caisse : DO-203AB, DO-5, Stud
Package d'appareils du fournisseur : DO-5
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
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