SISS30DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Référence fabricant

SISS30DN-T1-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SISS30DN-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

864010 Pieces

Prix de référence

~~USD 0.32472~~

Notre prix

- (Veuillez nous contacter pour un meilleur prix: [email protected])

AX Semiconductor a SISS30DN-T1-GE3 en stock à vendre. Nous pouvons vous expédier dans les 1-2 jours. Veuillez nous contacter pour un meilleur prix pour SISS30DN-T1-GE3. Notre email: [email protected]

Options et délais de livraison:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Options de paiement:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Spécifications pour SISS30DN-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SISS30DN-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Séries : TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1666pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 4.8W (Ta), 57W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8S

Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8S

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SISS3 , SISS30D

Documents pour SISS30DN-T1-GE3

Feuilles de données : SISS30DN-T1-GE3.pdf

Produits associés pour SISS30DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numéro d'article	Marque	La description
BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV AXIAL.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 16KV SCREW.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 14KV SCREW.
WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 20KV SCREW.
WF165420WN10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 18KV SCREW.
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	CAP CER 52PF 400VAC SL RADIAL.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV SCREW.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV R85.