FDME1034CZT - MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET

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MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
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Spécifications pour FDME1034CZT

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDME1034CZT
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.8A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 10V
Puissance - Max : 600mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-UFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-MicroFET (1.6x1.6)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDM , FDME1

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