NP100P06PLG-E1-AY - MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
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MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NP100P06PLG-E1-AY
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NP100P06PLG-E1-AY
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-263
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NP100P06PLG-E1-AY
Feuilles de données : NP100P06PLG-E1-AY.pdf
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