IRF9910TRPBF - MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF9910TRPBF
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRF9910TRPBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRF9910TRPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.55V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 10V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRF9910TRPBF
Feuilles de données : IRF9910TRPBF.pdf
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