BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
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Fabricant
Brève description
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSM25GD120DN2BOSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSM25GD120DN2BOSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type IGBT : -
Configuration : Full Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 35A
Puissance - Max : 200W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 25A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 800µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 1.65nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : No
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BSM25GD120DN2BOSA1
Feuilles de données : BSM25GD120DN2BOSA1.pdf
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