AS4C128M16MD2A-25BIN - IC DRAM 2G 128MX16 LPDDR2 134BGA
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IC DRAM 2G 128MX16 LPDDR2 134BGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C128M16MD2A-25BIN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C128M16MD2A-25BIN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 2G 128MX16 LPDDR2 134BGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire : 2Gb (128M x 16)
Fréquence d'horloge : 400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 134-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 134-FBGA (10x11.5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : AS4C12 , AS4C128M16
Documents pour AS4C128M16MD2A-25BIN
Feuilles de données : AS4C128M16MD2A-25BIN.pdf
Produits associés pour AS4C128M16MD2A-25BIN Alliance Memory, Inc.
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| EPCOS (TDK) | CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 14KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 100PF 30KV AXIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 100PF 16KV DISK. |