BSC123N10LSGATMA1 - MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSC123N10LSGATMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BSC123N10LSGATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
Séries :
OptiMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
10.6A (Ta), 71A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 72µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4900pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
114W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TDSON-8
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BSC123N10LSGATMA1
Feuilles de données :
BSC123N10LSGATMA1.pdf
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