FDZ191P - MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDZ191P
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1908365 Pieces
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Spécifications pour FDZ191P
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDZ191P
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Séries :
PowerTrench®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.9W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
6-WLCSP (1.0x1.5)
Paquet / caisse :
6-UFBGA, WLCSP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDZ191P
Feuilles de données :
FDZ191P.pdf
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