SP8K31TB1 - MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC

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MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
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Spécifications pour SP8K31TB1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SP8K31TB1
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 10V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : SP8K31TB1.pdf

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