SQJ960EP-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 8A
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Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 8A
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SQJ960EP-T1_GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SQJ960EP-T1_GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 60V 8A
Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 735pF @ 25V
Puissance - Max : 34W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8 Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SQJ960EP-T1_GE3
Feuilles de données : SQJ960EP-T1_GE3.pdf
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