1N1200A - DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-1N1200A
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
70630 Pieces
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Spécifications pour 1N1200A
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
1N1200A
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
La description :
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
12A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.1V @ 12A
La vitesse :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
-
Courant - Fuite inverse @ Vr :
10µA @ 50V
Capacité @ Vr, F :
-
Type de montage :
Chassis, Stud Mount
Paquet / caisse :
DO-203AA, DO-4, Stud
Package d'appareils du fournisseur :
DO-4
Température de fonctionnement - Jonction :
-65°C ~ 200°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour 1N1200A
Feuilles de données :
1N1200A.pdf
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