TK14G65W5,RQ - MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK

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MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
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Spécifications pour TK14G65W5,RQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK14G65W5,RQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
Séries : DTMOSIV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 690µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 300V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 130W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK14 , TK14G6

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Feuilles de données : TK14G65W5,RQ.pdf

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