SSM6N61NU,LF - MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

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MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM6N61NU,LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM6N61NU,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 10V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-UDFNB (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM6 , SSM6N6

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Feuilles de données : SSM6N61NU,LF.pdf

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