DMT10H009LSS-13 - MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR
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Brève description
MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMT10H009LSS-13
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DMT10H009LSS-13
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
13A (Ta), 48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
40.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2309pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-SO
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour DMT10H009LSS-13
Feuilles de données :
DMT10H009LSS-13.pdf
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CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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CAP CER 5000PF 12KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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CAP CER 5000PF 25KV R85. |
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