GSID200A120S3B1 - SILICON IGBT MODULES
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
SILICON IGBT MODULES
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
7992 Pieces
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Spécifications pour GSID200A120S3B1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
GSID200A120S3B1
Fabricant :
Global Power Technologies Group
La description :
SILICON IGBT MODULES
Séries :
Amp+™
Statut de la pièce :
Active
Type IGBT :
-
Configuration :
2 Independent
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
400A
Puissance - Max :
1595W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 200A
Courant - Coupure Collecteur (Max) :
1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce :
20nF @ 25V
Contribution :
Standard
Thermistance NTC :
No
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
D-3 Module
Package d'appareils du fournisseur :
D3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour GSID200A120S3B1
Feuilles de données :
GSID200A120S3B1.pdf
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