1N6622US - DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N6622US

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N6622US
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 660V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.2A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.4V @ 1.2A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 30ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 500nA @ 660V
Capacité @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SQ-MELF, A
Package d'appareils du fournisseur : A-MELF
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 1N , 1N66

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