MB85R4M2TFN-G-ASE1 - IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
50472 Pieces
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Spécifications pour MB85R4M2TFN-G-ASE1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MB85R4M2TFN-G-ASE1
Fabricant :
Fujitsu Electronics America, Inc.
La description :
IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Non-Volatile
Format de mémoire :
FRAM
La technologie :
FRAM (Ferroelectric RAM)
Taille mémoire :
4Mb (256K x 16)
Fréquence d'horloge :
-
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
150ns
Temps d'accès :
150ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.8V ~ 3.6V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
44-TSOP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour MB85R4M2TFN-G-ASE1
Feuilles de données :
MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 20KV SCREW. |
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CAP CER 1000PF 100V BP 1206. |
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CAP CER 5000PF 20KV. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 75PF 30KV AXIAL. |
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CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
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KEMET |
CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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CAP CER 6000PF 20KV SCREW. |
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