NRVHPD660T4G - DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NRVHPD660T4G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1145420 Pieces
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Spécifications pour NRVHPD660T4G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NRVHPD660T4G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
6A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
3V @ 6A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
30µA @ 600V
Capacité @ Vr, F :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur :
DPAK
Température de fonctionnement - Jonction :
-65°C ~ 175°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NRVHPD660T4G
Feuilles de données :
NRVHPD660T4G.pdf
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