TC58BVG2S0HTAI0 - IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TC58BVG2S0HTAI0
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TC58BVG2S0HTAI0
Fabricant : Toshiba Memory America, Inc.
La description : IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
Séries : Benand™
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Non-Volatile
Format de mémoire : FLASH
La technologie : FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire : 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge : -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 25ns
Temps d'accès : 25ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 48-TSOP I
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TC58BVG2S0HTAI0
Feuilles de données : TC58BVG2S0HTAI0.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 3000PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 20KV SCREW. | ||
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