NP50P03YDG-E1-AY - MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON

Référence fabricant

NP50P03YDG-E1-AY

Numéro de pièce interne

AX-NP50P03YDG-E1-AY

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

12880 Pieces

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Spécifications pour NP50P03YDG-E1-AY

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NP50P03YDG-E1-AY

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3500pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta), 102W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-HSON

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NP50P , NP50P03Y

Documents pour NP50P03YDG-E1-AY

Feuilles de données : NP50P03YDG-E1-AY.pdf

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