IAUT200N08S5N023ATMA1 - 80V 200A 2.3MOHM TOLL

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80V 200A 2.3MOHM TOLL
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Spécifications pour IAUT200N08S5N023ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IAUT200N08S5N023ATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : 80V 200A 2.3MOHM TOLL
Séries : OptiMOS™-5
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 130µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7670pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 200W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-HSOF-8-1
Paquet / caisse : 8-PowerSFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IAUT200 , IAUT200N08

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Feuilles de données : IAUT200N08S5N023ATMA1.pdf

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